這種微電子材料和器件的多場服役可靠性測試分析技術(shù)，主要是針對電子封裝材料及器件在接近真實服役環(huán)境下的可靠性評估及失效分析手段。多場耦合條件下的可靠性測試和失效分析技術(shù)可廣泛地應(yīng)用于一般電子封裝、LED封裝、MEMS封裝、汽車電子封裝等材料和產(chǎn)品。

技術(shù)特點

測試封裝器件多場耦合下的失效壽命需要模擬接近實際的試驗環(huán)境，因此，這種技術(shù)根據(jù)電子器件常見的溫度、溫度循環(huán)、電流、濕度等耦合的環(huán)境條件，模擬其實際服役環(huán)境，從而達到對電子材料和器件可靠性的準確評價。該系統(tǒng)不僅配備可以模擬實際服役環(huán)境的實驗腔體；而且具有精密電阻測量以及電阻信號的實時監(jiān)控功能，能夠?qū)ζ骷氖н^程進行跟蹤；此外，通過成熟、先進的失效分析技術(shù)，能夠正確揭示其失效原理，為封裝的優(yōu)化設(shè)計提供依據(jù)。

創(chuàng)新要點

在傳統(tǒng)的電子封裝可靠性的評價試驗中，一般采用單場條件，然后根據(jù)單場條件下的測試數(shù)據(jù)進行其可靠性的判斷。實際上，電子器件是在力、電、熱等多場環(huán)境下工作，其失效是多場共同作用的結(jié)果。但這種多場的共同作用結(jié)果不是幾種單場試驗結(jié)果的簡單加和，而是多場同時加載下所表現(xiàn)出的失效，即多場耦合條件下的失效行為。測試封裝器件多場耦合下的失效壽命需要模擬接近實際的試驗環(huán)境。